MRAM, a major breakthrough by TSMC....
Oct 22, 2025
1 min read
(Nature Electronics, Oct. 20) A multinational research team from institutions including National Yang Ming Chiao Tung University in Taiwan, TSMC, and the Industrial Technology Research Institute have made a major breakthrough in MRAM technology. They successfully developed a spin - orbit torque magnetoresistive random - access memory (SOT - MRAM) based on β - phase tungsten material, achieving remarkable performance indicators: it only takes 1 nanosecond to complete data switching, the data retention time exceeds 10 years, and the tunneling magnetoresistance ratio is as high as 146% (See link for details).
Mình cũng hay ngó qua mấy cái cầu trước khi quyết định, coi như thêm góc nhìn thôi, chứ càng nhìn kỹ nhiều lúc càng bị loạn. Hồi trước mình từng tin vào một chuỗi đang chạy đẹp, bám sát mấy ngày liền, cuối cùng nó quay xe liên tục làm mình trượt mấy phát nên giờ tự nhắc phải biết dừng. Nhất là gặp kiểu Cầu lật liên tục XSMB thì mình gần như không dám đặt hết vào một hướng, thường tách nhỏ phương án, chỉ giữ những dấu hiệu lặp lại rõ ràng và bỏ qua mấy thứ dễ gây nhiễu. Mình còn ghi lại các lần sai để xem do cách mình vào hay do tâm…